Flash写入保护与擦写寿命管理问题的解决方案
2024-12-18 23:11
- 芯圣MCU
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芯圣MCU的Flash擦写寿命有限，因此在需要频繁写入的应用中，需要特别注意优化存储策略和减少写入频率。 ...
具体实施例
假设你的应用需要频繁保存传感器数据到内存，并且需要将其周期性地存储到Flash中。为减少对Flas ...
定期检查Flash的健康状况
在一些关键应用中，定期检测Flash的健康状况至关重要。通过监控Flash的写入计数或 ...
使用Flash自带的写保护功能
一些MCU的内置Flash支持写保护功能，可以在特定情况下保护数据不被写入或修改 ...
采用低功耗模式减少写入次数
在一些应用场景下，可以通过采用低功耗模式来减少MCU的活动时间，从而间接减少 ...
实现“磨损平衡”（Wear Leveling）算法
在Flash存储中实现磨损平衡算法，是一种高效延长Flash寿命的策略。 ...
使用外部存储（如EEPROM或SD卡）
对于需要频繁更新的非关键性数据，可以考虑将其存储在外部存储设备中，如E ...
挑战描述
芯圣MCU的内置Flash通常具有有限的擦写次数例如，约100,000次，频繁的Flash擦写可能会导致其寿命 ...
在电源和模拟输入线路上增加去耦电容
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HC89S103K6T6 内部 Flash 和 SRAM 的使用技巧
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