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为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
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安世 | 为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样
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使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率
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AEC-Q101 | SiC功率器件高温反偏
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影响第三代半导体SiC阈值电压不稳定的因素有哪些？应如何应对？ attach_img
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仪器仪表 whpssins 2023-5-8 0 1109 whpssins 2023-5-8 15:59
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AMEYA360：SiC 电气特性优越 最具前景的半导体材料之一 attach_img
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