本帖最后由 onemoren 于 2025-7-9 17:55 编辑
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一个烧录失败案件让你更了解APM32芯片的烧录机制 烧录失效就是FLASH有问题吗？ 最近从产线上交一片烧录报错的APM32芯片(量产10K以上遇到1片，难得)。表象是FLASH失效，实则分析下来竟然是SRAM失效。看我记录的分析过程： 1）烧录失效现象 ● 测试方法：使用JFLASH烧录BIN文件，观察现象。 ● 测试结果：烧录bin文件出现校验报错，并报出错误产生的FLASH地址。 2）对比FLASH内容 ● 测试方法：出现异常时回读FLASH内容，与原始文档对比，观察现象。 ● 测试结果：回读FLASH内容，与原始文档对比，发现存在部分位置FLASH数据从0->1现象,如48->4A，B1->B3，CD->CF等等。 3）FLASH读写测试 ● 测试方法：在SRAM中运行FLASH全片擦写读测试，观察现象。 ● 测试结果：测试多组图形，尝试片擦/页擦等不同的方式，都未发现异常。FLASH应该没有问题。 4）SRAM读写测试 ● 测试方法：jflash烧录时数据是通过SRAM的程序和缓存搬入FLASH内部的。故在测试FLASH未发现异常的情况下，可继续测试SRAM看是否正常。 ● 测试结果：使用96M主频，循环测试SRAM 3369次时发现异常。对比数据，确认SRAM地址0x200008FF的bit1位置从0变1：00000000 -> 00000010 5）降低主频测试 ● 测试方法：96M主频情况下，复现异常几率较低。考虑到烧录bin文件时实际是8M主频驱动，故尝试降低SRAM测试的主频，观察现象。 ● 测试结果：使用8M主频，测试1次即可发现SRAM异常，地址仍是0x200008FF。可能机理：SRAM存储单元类似RS触发器，有两个稳态。如果读的时候存在漏电，读的时间短，来不及误翻转。如果读得慢些，可能漏电会引起状态翻转，导致读出错。 6）失效地址读写 ● 测试方法：针对失效地址，做针对性读写验证，观察现象。 ● 测试结果：写入0x00后，前几次读取均正常0x00，多读几次后，数据位发生翻转，读取值异常0x02 7）总结 经分析，确认这片烧录失效的芯片是SRAM存在异常：地址0x200008FF的bit1位置有几率发生从0变1的读异常。SRAM异常会导致芯片程序运行异常和烧录异常（烧录时需在SRAM中运行搬运程序和缓存FLASH数据）。 这个烧录失败案件让你更了解MCU芯片的烧录机制，当遇到烧录工具烧录校验不过，并报出校验错误地址（通常为FLASH区地址）时，真正失效的地方，可能是FLASH，也可能是SRAM，都需要排查。 | 
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