本帖最后由 onemoren 于 2025-6-12 17:22 编辑
#技术资源# #申请原创# 在AMP32单片机功耗管理应用场景下，绝大多MCU系统设计者会使用电子开关管（如MOS管、三极管、开关IC等）来按需切断、开通一些模块（或电路）的供电，而这些模块（或电路）的供电与MCU的VDD是相同支流。电子开关管速度快，在开通瞬间，会造成MCU的VDD瞬间下降（如下图所示），原因主要是由于电子管控制供电的相关模块（或电路）配置有较大电容瞬间充电引起。为保证MCU有可靠的用电环境，建议MCU系统设计者杜绝因电子开关管造成VDD较大较快的波动。 从测试对比来看，无论是用电池、稳压电源、LDO芯片供电，只要系统中VDD域有足够大的电容负载开启，都会引起VDD出现掉电情况（通常是快掉电）。而用电池供电时掉电幅度会更明显。 电源设计优化方案如下图所示，Q1为MOS开关管，VDD_LCD为VDD的可通断支流，C1为LCD模块上的大电容。可靠的做法是，在Q1的栅极到地加一个C3电容（如100NF），即可保证Q1导通时，VDD不会有较大较快的波动，从而保证MCU有良好的供电条件。 另外还有一种改进思路，需要增加一个二极管和电容。原理：在原电路上加一个低压降二极管和一个电容，组成抗快速掉电电路。当重负载或带大电容的负载开启时，VCC产生快速掉电，此时二极管截止，MCU的VDD/VDDA由电容放电来维持短时间工作电源。如果电容足够大，掉电将很缓，且降电幅度可以很小。 注：如锗二极管导通时会有0.2V压降，这会让MCU的供电比原来降低0.2V，如使用ADC/DAC可能精度受影响。 对比下来，肯定是使用前一种优化思路最好。
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