如果想写入CH32V003的剩余flash当做用户数据的话，可以按字节写入吗？

只看该作者 · 2025-2-23 15:29

只看该作者 · 2025-2-24 09:41

您好，如下图，CH32V003的FLASH支持两种编程方式：标准编程和快速编程。标准编程方式支持以单次2字节方式执行编程写入；快速编程方式支持单次64字节编程写入。

只看该作者 · 2025-4-1 12:21

在CH32V003中，Flash存储器通常是以页为单位进行擦除和编程的，而不是按字节写入

只看该作者 · 2025-4-1 15:18

CH32V003的Flash存储器通常以页为单位进行擦除和编程，页大小可能是1 KB或2 KB（具体取决于芯片型号）。

只看该作者 · 2025-4-1 19:20

Flash存储器必须先擦除再写入，且擦除操作是以页为单位进行的。

只看该作者 · 2025-4-1 23:37

一般来说，写入操作通常以字（4字节）或半字（2字节）为单位。

只看该作者 · 2025-4-2 15:10

建议在写入之前，先计算程序占用的Flash空间（text段 + data段）。剩余Flash空间 = 总Flash空间 - 已用Flash空间。在写入数据之前，必须先擦除目标Flash页。

只看该作者 · 2025-4-2 20:51

我觉得是这样，写入数据时，通常以字（4字节）或半字（2字节）为单位。

只看该作者 · 2025-4-3 07:55

其实写入地址必须对齐到字（4字节）或半字（2字节）边界。

只看该作者 · 2025-4-3 10:33

如果写入的数据长度不是字或半字的整数倍，需要填充数据。

只看该作者 · 2025-4-3 16:00

Flash存储器的擦除次数有限（通常为10,000次左右），频繁擦写可能导致Flash损坏。建议使用磨损均衡算法，延长Flash寿命。

只看该作者 · 2025-4-3 20:22

在擦除和写入操作前，建议备份原有数据，防止数据丢失。在Flash操作期间，建议禁用中断，避免操作被打断。