CIU32L051性能参数简介
[*]48MHz Cortex-M0+ 32-bit CPU
支持单周期乘法指令
[*]64KBFlash，16KB SRAM
[*]1KB OTP
[*]灵活的功耗管理模式
– VBAT备份电源自动切换 – 0.95μA VBAT模式+RTC +备份寄存器 – 1μA Stop模式，CPU+SRAM保持 – 1.25μA Stop模式+RTC – 60μA/MHz@48MHz Run模式，外设关闭，在Flash运行程序
[*]电源监测：支持BOR和PVD
[*]时钟源
– 外部高速时钟：4~32MHz，支持停振检测 – 外部低速时钟：32.768KHz，支持停振检测 – 内部高速时钟：16MHz，全温度变化小于±2% – 内部低功耗低速时钟：32KHz – PLL：6MHz ~ 48MHz
[*]多达57个IO，防倒灌且兼容5V通信，其中高驱IO可达20mA
[*]2通道DMA控制器，具备灵活映射关系
[*]RTC支持闹钟、周期定时器，校准精度可达±0.477ppm
[*]9个定时器
– 3个16-bit 4通道通用定时器 – 1个16-bit基本定时器 – 2个16-bit低功耗定时器，其中1个支持正交编码 – 1个24-bit SysTick – 2个看门狗：IWDG和WWDG
[*]IRTIM支持定时器和U(S)ART互联用于红外控制
[*]通信接口
– 2个LPUART，Stop唤醒 – 4个U(S)ART，其中1个支持ISO7816和SPI主模式，3个UART – 2个SPI，主模式最高速率为20Mbps，从模式最高速率为16Mbps – 1个I2C，主从模式，1Mbps Fm+，Stop唤醒
[*]信息安全
– AES算法协处理器 – TRNG，CRC –TAMP防拆和备份寄存器
[*]LCD最大支持8COM x 32SEG
– 电荷泵模式：驱动能力强，VLCD升压可高于VDD且不随VDD变化，VLCD多档可配置，最高可达5.25V – 片内电阻分压模式：对比度16级可调，高低驱可动态切换，免外部电容
[*]12位1Msps高精度SAR ADC，可测量高输出阻抗信号
[*]2个超低功耗比较器，具有6bit DAC比较基准，支持轨到轨输入
[*]内置参考电压源VREFBUF，3.0V、2.5V、2.048V，可通过IO输出
[*]1个温度传感器，最大误差±2°C
[*]96-bit unique ID
[*]内嵌Bootloader：支持UART
[*]SWD调试
[*]工作条件：1.8V~5.5V，-40°C~85°C
[*]封装形式：LQFP64/48、QFN32、SSOP24
内部高速时钟：16MHz，全温度变化小于±2%，问下±2%的变化会对芯片使用什么影响 VelvetVoyag 发表于 2025-7-2 08:52
内部高速时钟：16MHz，全温度变化小于±2%，问下±2%的变化会对芯片使用什么影响 ...
我看到了信息安全模块，M0都能配套这个还是很全的
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